电化学沉淀法制备纳米结构氧化锌的场发射特性

人工晶体学报, 2011, 40(1): 187-192.

电化学沉淀法制备纳米结构氧化锌的场发射特性

王马华 ^1, , 朱汉清 ^2, , 朱光平 ^3,

1.淮阴工学院电子与电气工程学院,淮安,223002;东南大学先进光子学中心,南京,210096

2.淮阴工学院电子与电气工程学院,淮安,223002

3.东南大学先进光子学中心,南京,210096

基金项目: 淮阴工学院校重点项目(HGA0013) 国家自然科学基金(60576008;10674023) 安徽省教育厅自然科学基金重点项目(KJ0140A306) 安徽省自然科学基金(11040606M10)

关键词：场发射 , 强场效应 , 缺陷态 , 串联等效

Investigation on the Field Emission Performance of ZnO Rod Arrays Prepared by the Electrochemical Precipitation Method

对电化学沉淀法制备的氧化锌纳米棒阵列,通过室温下真空场发射电流密度与外加电压关系的测量,研究其场发射特性.根据测量数据,基于 Fowler-Nordheim 方程,估算了样品场发射效应的增强因子,观察到其取值随外加电压变化具有反常的两阶段性,即当外电场强度在3.3 V/μm 场发射开启值到4.3 V/μm之间时,增强因子值为1339,外加场强大于4.3V/μm 时,增强因子锐减至296;结合样品的光致发光谱和能量散射谱,应用半导体中强电场效应、掺杂半导体中温度对费米能级、载流子浓度和迁移率影响,通过场发射电流密度测量系统的串联电路等效,分析了样品缺陷态对此两阶段性的决定和影响.

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