电场作用下SiC与Ti扩散连接界面结构及力学性能

稀有金属, 2016, 45(7): 1749-1754.

电场作用下SiC与Ti扩散连接界面结构及力学性能

王清 ^1, , 李其海 ^2, , 孙东立 ^3, , 韩秀丽 ^4, , 田倩 ^5,

1.哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨,150001

2.哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨,150001

3.哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨,150001

5.哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨,150001

基金项目: 国家自然科学基金(51172051)

关键词： SiC , Ti , 扩散连接 , 电场 , 界面结构 , 力学性能

Microstructure and Mechanical Properties of SiC/Ti Diffusion Bonding Joints under Electric Field

Keywords： SiC , Ti , diffusion bonding , electric field , interface microstructure , mechanical properties

对电场作用下SiC与Ti扩散连接接头界面结构及力学性能进行了分析测试.研究发现,当金属、陶瓷分别连接电场正、负极时,电场可促进界面扩散反应层厚度增加,而电压极性相反时,促进作用明显减弱;连接界面发生原子扩散及化学反应,生成相主要为:Ti5Si3与TiC,从SiC侧到Ti侧界面相结构依次为SiC/TiC/(Ti5 Si3+TiC)/Ti;性能测试结果表明,1000℃/2 h/7.5 MPa下获得的接头剪切强度为66.4 MPa,950℃/1.5 h/7.5 MPa/400 V电场作用下扩散连接接头剪切强度为69.6 MPa,即在其他连接工艺参数相同情况下,施加电压可以增大剪切强度,提高连接效率.

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Microstructure and Mechanical Properties of SiC/Ti Diffusion Bonding Joints under Electric Field

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