LNO薄膜电极的制备及其特性研究

功能材料, 2003, 34(3): 317-319.

LNO薄膜电极的制备及其特性研究

康晓旭 ^1, , 林殷茵 ^2, , 汤庭鳌 ^3, , 钟宇 ^4, , 黄维宁 ^5, , 姜国宝 ^6, , 王晓光 ^7,

1.复旦大学微电子学系,Asic和系统国家重点实验室,上海,200433

2.复旦大学微电子学系,Asic和系统国家重点实验室,上海,200433

3.复旦大学微电子学系,Asic和系统国家重点实验室,上海,200433

4.复旦大学微电子学系,Asic和系统国家重点实验室,上海,200433

5.复旦大学微电子学系,Asic和系统国家重点实验室,上海,200433

6.复旦大学微电子学系,Asic和系统国家重点实验室,上海,200433

7.复旦大学微电子学系,Asic和系统国家重点实验室,上海,200433

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目国家科技预研项目(18.3.3.JW0703) 应用材料(AM)基金国家自然科学基金(6989876008)

关键词： LNO , 氧化物电极 , 铁电体

Preparation and property of metallic LaNiO3 thin film electrode

采用水基化学溶液涂布(water-based coating)的方法,在SiO2/Si上制备出了LaNiO3(LNO)导电金属氧化物薄膜.系统研究了退火温度、退火时间、厚度等工艺条件对LNO薄膜电学特性和结构的影响,并进一步分析了产生这些现象的原因.制备的LNO薄膜电阻率为1.77×10-3Ω@cm,且具有良好的形貌.以LNO为独立下电极,制备出了Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,通过其电滞回线和漏电特性的测试,可见制备的LNO薄膜可以很好地满足作为铁电电容电极的需要.

参考文献

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