采用复合胶体喷雾工艺制备了Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体.研究了Ba2+离子在基质Sr2Al2SiO7中的取代位置和机理,分析了Ba2+离子取代Sr2+离子对基质微结构及Sr2Al2SiO7:Eu2+荧光体发光性能的影响.XRD结果表明Ba2+离子取代Sr2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格,导致晶胞体积增大.进入Sr2Al2SiO7晶格的Ba2+离子由于电负性较大,处在其周围的Eu2+离子外层电子受Ba2+离子影响,电子云膨胀,使发光波长发生红移.同时,掺入Ba2+离子后Sr2-xBaxAl2SiO7晶场强度增强,晶体场对Eu2+离子5d能级的劈裂程度增大,劈裂重心下降.Ba2+离子掺杂的Sr2-xBaxAl2SiO7:Eu2+(x=0、0.1、0.2、0.4)荧光体发射主峰位于520nm,与未掺杂Sr2Al2SiO7:Eu0.022+荧光体的发射峰相比出现红移.
参考文献
| [1] | 蒙延双;王达健;武浚 等.[J].光学学报,2007,27(11):1-5. |
| [2] | Song Chunfeng;Yang Ping;Lu Meng Kai et al.[J].Journal of Physics and Chemistry of Solids,2003,64:491-494. |
| [3] | Kim J S;Mho S W;Park Y H et al.[J].Solid State Communications,2005,33:1-4. |
| [4] | Yuan Zhaoxin;Chang Chengkang;Mao Dali et al.[J].Journal of Alloys and Compounds,2004,377:268-271. |
| [5] | 徐剑,张新民,张剑辉,郭崇峰,苏锵.MGa2 S4：Eu2+（M=Ca、Sr、Ba）和EuGa2 S4系列荧光粉的合成和发光性能研究[J].中山大学学报(自然科学版),2004(03):49-51. |
| [6] | 蒙延双,王达健,武浚,刘会基,巨少华.Mg2+离子对Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响[J].功能材料,2008(03):361-363. |
| [7] | 张中太;张枫;唐子龙 .[J].功能材料,1999,30(03):295-297. |
| [8] | 袁赵欣,常程康,毛大立.H3BO3对化学共沉淀法制备Sr4Al14O25∶Eu2+、Dy3+的影响[J].功能材料,2004(01):94-96. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%