钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)材料既具有钛酸钡(BaTiO3)的高介电常数和低介质损耗,又具有钛酸锶(SrTiO3)结构稳定的特点,是非常理想的高压陶瓷电容器材料.本论文采用常规陶瓷电容器制备工艺,利用正交设计实验法研究了配方对Ba1-xSrxTiO3基高压陶瓷电容器介电性能的影响,得到了影响该系统陶瓷介电性能的主次因素以及各因素水平影响其性能的趋势,并讨论了Bi2O3·3TiO2、CaZrO3、Nb2O5和MgO改性添加物对材料性能的影响.通过正交实验得到了综合性能较好的钛酸锶钡基陶瓷配方,结果表明,在Ba1-xSrxTiO,(当x=0.4时)中加入8%Bi2O3·3TiO2、6%CaZrO3、0.6%Nb2O5和0.5%MgO时,其介电常数ε为3785、介质损耗tgδ为23×10-4、耐压强度Eb为11 kV/mm;而在Ba1-xSrxTiO3(当x=0.4时)中加入8%Bi2O3·3TiO2、10%CaZrO3、0.2%Nb2O5和1%MgO时,其ε为3416、tgδ为30×10-1、Eb为13.5 kV/mm.
参考文献
| [1] | 周洪庆 .Sr-Pb-Bi系中高压介质瓷结构与性能研究[J].电子元件与材料,1995,14(06):19-22. |
| [2] | 张其土,张校平,李斌.BaTiO3基无铅高压陶瓷电容器材料性能的研究[J].电子元件与材料,2005(12):38-41. |
| [3] | Kim K T;Kim C I .Structure and dielectric properties of Bi-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin film fabricated by sol-gel method[J].Micro engin,2003,66:835-841. |
| [4] | Zhou L;Vilarinho P M;Baptista J L .Dielectric properties of bismuth doped Bal-x0SrxTiO3 ceramics[J].Journal of the European Ceramic Society,2001,21:531-534. |
| [5] | Hansen P;Henninge D;Schreinenmcher H.Dielectric properties of acceptor-doped (Ba,Ca) (Ti,Zr)O3 ceramice[J].Journal of Electroceramics,1998(02):85-94. |
| [6] | 郭文华,李钢.Nb2O5掺杂对BaTiO3陶瓷介电常数的影响[J].中国陶瓷,2006(10):24-26. |
| [7] | 杭联茂,姚熹,魏晓勇.Nb或La掺杂的Ba（Ti0.9Sn0.1）O3基陶瓷的介电性能[J].功能材料,2004(z1):1320-1321,1326. |
| [8] | Teoreanu I;Andronescu E;Lanculescu A .High-performance ceramics Ba(Ti,Nb)O3 and (Ba,La) (Ti,Nb)O3-type ceramic dielectrics[J].interceram,1999,48(02):90-96. |
| [9] | Cole M W;Joshi P C;Ervin M H et al.The irfluence of Mg doping on the materials properties of Bal-xSrxTiO3 Thin films for tunable device applications[J].Thin Solid Films,2000,374:34-41. |
| [10] | 汪小红,吕文中,刘坚,梁飞,周东祥.MgO对Ba0.6Sr0.4TiO3铁电陶瓷材料结构及低频特性的影响[J].硅酸盐学报,2004(06):738-742. |
| [11] | 孙建英,翟继卫,丑修建,姚熹.低掺杂量MgO对钛酸锶钡陶瓷的结构和性能的影响[J].功能材料,2007(01):93-96. |
| [12] | 程鹏,王嘉赋,钱晶晶,叶先贤.MgO掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3铁电材料的结构研究[J].武汉理工大学学报,2007(04):17-21. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%