V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响

稀有金属材料与工程, 2006, 35(z2): 224-227.

V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响

赵鸣 ^1, , 王卫民 ^2, , 张慧君 ^3, , 高峰 ^4, , 田长生 ^5,

1.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072;内蒙古科技大学材料与冶金科学工程学院,内蒙古,包头,014010

2.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

3.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

4.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

5.西北工业大学材料科学与工程学院,陕西,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(60501015)

关键词： ZnO-V2O5压敏电阻 , 二次合成法 , 低温烧结

The Effect of Pre-Synthesized V2O5/Sb2O3 Powder Content on the Characteristics of ZnO-V2O5 Based Varistor Ceramics

基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度＞98%、非线性系数＞50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.

参考文献

[1]	Tapan K Gupta .[J].Journal of the American Ceramic Society,1990,73(07):1817.
[2]	Jyh-Kuang Tsai;Tai-Bor Wu .[J].Journal of Applied Physics,1994,76(08):4817.
[3]	Hng H.H.;Knowles K.M. .Microstructure and Current-Voltage Characteristics of Multicomponent Vanadium-Doped Zinc Oxide Varistors[J].Journal of the American Ceramic Society,2000(10):2455-2462.
[4]	Heriberto Pfeier;Kevin M Knowles.[J].JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY,2004(24):1199.
[5]	Hng H H;Chan P L.[J].CERAMICS INTERNATIONAL,2004(30):1647.
[6]	Mendelson M I .[J].J Amer Soc,1969,52:443.
[7]	Kazuo Mukae;Kouichi Tsuda;Ikuo Nagasawa .[J].Journal of Applied Physics,1979,50(06):4475.
[8]	Kim J;Kimura T;Yamaguchi T .[J].Journal of Materials Science,1989,24(01):213.
[9]	Tetsuya Senda;Richard C Brad .[J].American Ceramic Society,1991,74(06):1296.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响

The Effect of Pre-Synthesized V2O5/Sb2O3 Powder Content on the Characteristics of ZnO-V2O5 Based Varistor Ceramics

参考文献