磁控溅射制备非晶硅薄膜的均匀性及光学吸收特性研究

人工晶体学报, 2014, 43(7): 1718-1722.

磁控溅射制备非晶硅薄膜的均匀性及光学吸收特性研究

段良飞 ^1, , 杨雯 ^2, , 杨培志 ^3, , 张力元 ^4, , 涂晔 ^5, , 李学铭 ^6,

1.云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

2.云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

3.云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

4.云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

5.云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

6.云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

关键词：射频磁控溅射 , 非晶硅薄膜 , 均匀性 , 光学吸收

Investigation on the Uniformity and Optical Absorption Properties of Amorphous Si Thin Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

Keywords： RF magnetron sputtering , a-Si thin film , uniformity , optical absorption

利用射频磁控溅射镀膜技术,采用不同的衬底温度及射频功率在玻璃衬底上制备了非晶硅薄膜;利用X射线衍射仪、拉曼(Raman)散射仪、台阶仪、紫外-可见光-近红外分光光度计及SPSS统计分析方法研究了衬底温度及射频功率对薄膜均匀性及其光学吸收特性的影响.结果表明:衬底温度从150℃增加到200℃,薄膜的生长速率加快、均匀性降低、光学吸收强度增加,从200℃再增加到250℃,薄膜的生长速率降低、均匀性下降、光学吸收强度减弱;射频功率从90W增加到100 W,薄膜的生长速率加快、均匀性增加、光学吸收强度增加,从100 W再增加到110 W,则薄膜的生长速率降低,均匀性降低、光学吸收强度降低;获得了优化的非晶硅薄膜的制备工艺:射频功率100W,衬底温度200℃.

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