RF反应溅射法制备NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结研究

功能材料, 2004, 35(z1): 772-774.

RF反应溅射法制备NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结研究

张万里 ^1, , 彭斌 ^2, , 唐晓莉 ^3, , 蒋洪川 ^4, , 张怀武 ^5,

1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

3.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

4.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

5.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

关键词：磁性隧道结 , RF反应溅射 , 隧道磁电阻

Fabrication of NiFe/Al2O3/Co magnetic tunneling junction by RF reactive sputtering

采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值达6.5%的NiFe/Al2O3/Co磁性隧道结.样品制备采用一系列的掩模,Al2O3层的制备采用RF反应溅射并原位热氧化方法,隧道结的面积为0.2mm×0.2mm.样品的Ⅰ-Ⅴ特性曲线说明了样品中隧道效应的存在,利用XPS分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的变化.

参考文献

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