Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

功能材料, 2008, 39(5): 779-782.

Ta上生长的硅薄膜退火的微晶化研究

邓荣斌 ^1, , 王茺 ^2, , 陈寒娴 ^3, , 杨瑞东 ^4, , 秦芳 ^5, , 肖军 ^6, , 杨宇 ^7,

1.云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091

2.云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091

3.云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091

4.云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091

5.云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091

6.云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091

7.云南大学,工程技术研究院光电薄膜研究中心,云南,昆明,650091

基金项目: 国家自然科学基金(K1020228)

关键词：退火 , 微晶硅薄膜 , 钽 , 太阳能电池

The crystallization affected by annealing studied on microcrystalline silicon thin films fabricated on tantalum

对射频溅射功率80W条件下Ta缓冲层上生长的硅薄膜进行退火并用Raman散射和X射线衍射技术对样品的微观结构进行检测,系统研究了退火温度和退火时间对硅薄膜结晶性的影响.分析结果表明,在560℃退火2h或680℃退火1h之后,硅薄膜开始晶化,并且随着退火温度的增加或退火时间延长,薄膜逐渐由非晶向微晶转变.获得了可用于太阳能电池的微晶硅薄膜的最佳晶化参数.

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