碳化硅-氮化铝复合材料的烧结

稀有金属材料与工程, 2005, 34(z1): 497-500.

碳化硅-氮化铝复合材料的烧结

潘裕柏 ^1, , 石晓梅 ^2, , 王静 ^3, , 李江 ^4, , 郭景坤 ^5,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

基金项目: 科技部科研项目(G2000067204-2) 上海市重点基础研究项目(04DZ14002)

关键词：碳化硅 , 氮化铝 , 烧结 , 组成 , 界面

Sintering of SiC/AlN Composites

采用第二相粒子AlN的添加方法,其中SiC:AlN质量比为85:15(外加0.5ω/%的Y2O3)的组分混合均匀后干燥过筛,并且置于石墨模具中热压制备SiC/AlN复合材料.热压烧结条件为Ar气氛中1950℃,40MPa,保温30min.运用XRD确定SiC与AlN接触面与非接触面的相组成,确认烧结过程为氮化铝发生单向的蒸发行为和固相烧结行为.高温烧结时,SiC/AlN复合材料的烧结过程可视为一种单向的传质即AlN蒸发并且沉积在SiC颗粒表面.然后在扩散传质过程中,AlN向SiC颗粒内部扩散并且在碳化硅晶粒表面形成SiC-AlN固溶体层,阻碍碳化硅晶粒的过分长大,最终使碳化硅-氮化铝二元相成为一种具有结构均匀、晶粒细小的复合材料.

参考文献

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