采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在＞100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系.当衬底温度＞100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4·cm-1数量级,激活能为0.31eV.当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加.
参考文献
| [1] | 陈光华;邓金祥.新型电子薄膜材料[M].北京:化学工业出版社,2002:64-70. |
| [2] | 陈城钊,邱胜桦,刘翠青,吴燕丹,李平,余楚迎,林璇英.射频PECVD法高压快速制备纳米晶硅薄膜[J].功能材料,2008(05):848-850. |
| [3] | Lin X Y;Huang C J;Lin K C.[J].Acta Physica Sinica,2004:5311558. |
| [4] | Lin X Y;Huang C J;Lin K C et al.[J].Chinese Physics Letters,2003,20:1879. |
| [5] | 吴晓昆,杨宇,吴兴惠.Ranlan测量Ge/Si多层膜中Ge晶粒尺寸的理论研究[J].红外技术,2001(01):15-18. |
| [6] | Tiong K K;Amirtharaj P H et al.[J].T Appl Phys Lett,1990,57:2692. |
| [7] | 黄锐 .以SiCl_4为源气体用PECVD方法低温快速生长多晶硅薄膜[D].汕头大学,2005. |
| [8] | 侯国付,薛俊明,孙建,郭群超,张德坤,任慧志,赵颖,耿新华,李乙钢.高压PECVD技术沉积硅基薄膜过程中硅烷状态的研究[J].物理学报,2007(02):1177-1181. |
| [9] | 李瑞,卢景霄,陈永生,杨仕娥,郜小勇,靳锐敏,王海燕,张宇翔,张丽伟.PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制[J].科学技术与工程,2005(13):876-878,883. |
| [10] | 赵剑涛,郜小勇,刘绪伟,陈永生,杨仕娥,卢景霄.衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响[J].人工晶体学报,2006(06):1287-1290. |
| [11] | 陈永生,郜小勇,杨仕娥,卢景霄,谷锦华.沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响[J].物理学报,2007(07):4122-4126. |
| [12] | 郭群超,孙建,魏长春,耿新华.温度对高速微晶硅薄膜沉积速率及其特性的影响[J].光电子·激光,2007(06):659-662. |
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