组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究

人工晶体学报, 2014, 43(7): 1781-1787.

组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究

刘旭焱 ^1, , 姬晓旭 ^2, , 王爱华 ^3, , 张帅 ^4, , 秦怡 ^5, , 李根全 ^6,

1.南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳473061

2.南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳473061

3.南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳473061

4.南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳473061

5.南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳473061

6.南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳473061

关键词：绝缘体上锗硅 , 锗浓缩 , 组分可控

Fabrication of High Ge Content SGOI by Component-controlled Ge Condensation

Keywords： SiGe on insulator , Ge condensation , component-controlled

高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔.本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅(SiGe on insulator,SGOI)薄膜样品.结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5％.综合分析表明:在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相关的进一步研究提供便利.

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