不同半导体材料构成三维光子晶体带隙特性

人工晶体学报, 2012, 41(3): 779-797.

1.枣庄学院光电工程学院,枣庄277160

2.华北水利水电学院电力学院,郑州450011

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基金项目: 山东省2011年高等学校科技计划项目(J11LG74) 枣庄市科学技术发展计划项目(201127) 国家科技支撑计划(2008BAC34B03-1-4) 枣庄市科学技术发展计划项目(200926-5) 山东省2012年高等学校科技计划项目(J12LJ51)

Band Gap Properties of Three-Dimensional Photonic Crystals with Different Semiconductor Material

应用平面波展开法研究Ⅳ、Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ和Ⅳ-Ⅵ族半导体材料构成三维光子晶体的带隙特性,通过数值模拟得到半径与晶格常数的最佳比值,计算得到不同材料对应的最大完全光子带隙,其中Ⅲ-Ⅴ族构成的三维光子晶体要普遍宽一些,Ⅳ中的Ge具有较大的完全带隙,研究结论为三维光子晶体的制作提供理论依据.

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