STO/YBCO薄膜的制备及介电性能研究

功能材料, 2003, 34(6): 660-664.

STO/YBCO薄膜的制备及介电性能研究

李德红 ^1, , 刘兴钊 ^2, , 何世明 ^3, , 陆清芳 ^4, , 李言荣 ^5, , 张鹰 ^6, , 申妍华 ^7, , 陈家俊 ^8,

1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

3.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

4.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

5.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

6.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

7.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

8.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

关键词： STO , 铁电薄膜 , 脉冲激光沉积 , 界面势垒

Preparation and dielectric properties of STO/YBCO thin films

采用脉冲激光沉积技术,在(100)LaAlO3单晶基片上生长SrTiO3/Y1Ba2Cu3O7-x(STO/YBCO)多层薄膜.XRD分析表明:YBCO薄膜和STO薄膜均为C轴取向,STO(002)/YBCO(006)衍射峰摇摆曲线半高宽为0.73°.AFM分析表明,STO/YBCO多层薄膜表面平整、均匀,在77K,100kHz的测试条件下,STO薄膜介电损耗tgδ＜10-2,在53.6kV/cm电场作用下,介电常数的相对变化为38%.

参考文献

[1]	Hui F;Chen Z;Shen K.High-Q SOI Gated Varactor for use in RF Ics[A].,1998
[2]	Spartak S Gevorgian;Kollberg E K .[J].IEEE Transactions on Microwave theory and Techniques,2001,49:2117-2124.
[3]	Miranda F.A.;Mueller C.H.;Cubbage C.D.;Bhasin K.B.;Singh R.K.;Harkness S.D. .HTS/ferroelectric thin films for tunable microwave components[J].IEEE Transactions on Applied Superconductivity: A Publication of the IEEE Superconductivity Committee,1995(2):3191-3194.
[4]	Wu H D;Zhang Z;Barnes F et al.[J].IEEE Transactions on Applied Superconductivity,1994,4:156-160.
[5]	Xi X X;Li Hong-Cheng;Si Weidong et al.[J].Journal of Electroceramics,2000,4:393-405.
[6]	Morito K.;Sekiguchi S.;Okushi H.;Fujimoto M.;Suzuki T. .Electrical characterization of SrTiO3 thin films grown on Nb-doped SrTiO3 single crystals[J].Japanese journal of applied physics,2000(1):166-171.

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