热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜

稀有金属材料与工程, 2007, 36(11): 2000-2002.

热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜

王天生 ^1, , 田永君 ^2, , 于栋利 ^3, , 迟振华 ^4, , 胡前库 ^5, , 罗晓光 ^6,

1.燕山大学,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004

2.燕山大学,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004

3.燕山大学,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004

4.燕山大学,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004

5.燕山大学,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004

6.燕山大学,亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室,河北,秦皇岛,066004

基金项目: 河北省教育厅自然科学基金国家自然科学基金(50171058)

关键词： MgB2薄膜 , 微观结构 , 超导电性 , 热丝化学气相沉积

MgB2 Superconducting Films in Situ Prepared by Hot-Filament Chemical Vapor Deposition

用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.

参考文献

[1]	Kang W N et al.[J].Applied Physics Letters,2001,79:982.
[2]	Chen X H;Xue Y Y;Meng R L et al.[J].Physical Review B,2001,64:172501.
[3]	Larbalestier DC;Cooley LD;Rikel MO;Polyanskii AA;Jiang J;Patnaik .Strongly linked current flow in polycrystalline forms of thesuperconductor MgB2[J].Nature,2001(6825):186-189.
[4]	Finnemore DK.;Bud'ko SL.;Lapertot G.;Canfield PC.;Ostenson JE. .Thermodynamic and transport properties of superconducting (MgB2)-B-10[J].Physical review letters,2001(11):2420-2422.
[5]	Karapetrov G.;Kwok WK.;Crabtree GW.;Hinks DG.;Iavarone M. .Scanning tunneling spectroscopy in MgB2[J].Physical review letters,2001(19):4374-4377.
[6]	Liu Z K;Schlom G;Li Q et al.[J].Applied Physics Letters,2001,78:3678.
[7]	田永君;王天生;迟振华 et al.[P].CN 02108906X,2001.
[8]	Zeng X H;Pogrebnyakov A V;Kotcharov A et al.[J].Nature Materials,2002,1:1.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网