根据固体与分子经验电子理论,通过键距差(BLD)方法,计算了金属间化合物WSi2的价电子结构和理论结合能.结果表明,WSi2理论结合能为1859.5 kJ/mol,与实验值吻合.WSi2晶体中,沿＜331＞位向分布的W-Si键的键能最大,EA=33.397 kJ/mol,且有32个等同键数,是晶体熔化时必须破坏的主干键络,因而WSi2具有高熔点.WSi2晶体中含有较高密度的晶格电子,使WSi2具有良好的导电性.WSi2晶体中键络分布不均匀性是导致晶体脆性的主要原因.
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