热处理对STO铁电薄膜微结构的影响

功能材料, 2005, 36(2): 203-205.

热处理对STO铁电薄膜微结构的影响

张勤勇 ^1, , 蒋书文 ^2, , 李言荣 ^3, , 张万里 ^4,

1.西华大学,材料系,四川,成都,610039;电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

3.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

4.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054

关键词： STO , 铁电薄膜 , 晶化 , CFA , RTA

Influences of annealing on the micro-structure of STO ferroelectric films

系统研究了CFA与RTA两种热处理方式以及热处理温度和时间对STO薄膜微结构的影响.STO薄膜采用脉冲激光沉积法(PLD)制备.采用原子力显微镜(AFM)和XRD分别对薄膜的表面形貌和晶粒结构进行分析.结果表明,在热处理温度650～800℃范围内,相对于CFA、STO薄膜经RTA热处理后,薄膜表面晶粒大小分布均匀、致密.两种热处理方法都使薄膜的晶粒直径随温度升高而增大,并且温度越高,薄膜的晶形越完整,同样热处理温度下,RTA与CFA相比薄膜的晶粒较小,两种热处理方法的最大晶粒尺寸都＜120nm.但XRD分析结果表明,在相同热处理温度下,CFA热处理的结晶转化率较RTA热处理要高.在一定范围内,RTA热处理时间对薄膜晶粒尺寸影响不大,热处理时间越长,晶粒更加完整,表面更加均匀平整,结晶转化率越高.

参考文献

[1]	DEAraujo C A;Cuchiare J D;McMillan L D .[J].NATURE,1995,374:627-629.
[2]	Guo XL.;Chen XY.;Zhu SN.;Xiong SB.;Hu WS.;Lin CY.;Liu ZG. .PULSED LASER DEPOSITION OF SRXBA1-XNB2O6/MGO BILAYERED FILMS ON SI WAFER IN WAVEGUIDE FARM[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,1996(6):1632-1635.
[3]	Liu Z G;Chen X Y;Liu J M .[J].Solid State communications,1994,91:671-673.
[4]	李建康,姚熹,汪静,张良莹.红外热释电探测器的微图形化研究[J].功能材料与器件学报,2003(04):448-452.
[5]	Spinellaa C;Lombardo .[J].Journal of Applied Physics,1998,84(10):5383-5414.

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