ITO用作铁电薄膜电极的研究

功能材料, 2001, 32(1): 64-66.

ITO用作铁电薄膜电极的研究

李金华 ^1, , 陈汉松 ^2, , 李坤 ^3, , 汤国英 ^4, , 陈王丽华 ^5,

1.江苏石油化工学院功能材料实验室,

2.江苏石油化工学院功能材料实验室,

3.江苏石油化工学院功能材料实验室,

4.香港理工大学电子工程系

5.应用物理系,

基金项目: 香港RGC资助项目

关键词： ITO薄膜 , 铁电电容电极 , Sol-Gel法

A Study of Indium Doped Tin Oxide as Electrode of Ferroelectric Films

研究了sol-gel掺锡氧化铟(ITO)溶胶在SiO2/Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比.结论是,sol-gel ITO膜,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性,但以sol-gel ITO膜作下电极,无法使PLT、PZT的sol-gel膜具有明显的结晶取向.因漏电太大,sol-gel ITO也无法作sol-gel铁电膜(如PLT,PZT)的上电极.但在CVD ITO膜上,sol-gel铁电膜能很好结晶,且Au/PLT/ITO电容,具有良好的电学性能.

参考文献

[1]	Guzman G;Barboux P;Perriere J .[J].Journal of Applied Physics,1995,77(02):635-639.
[2]	钟维烈.铁电体物理学[M].北京:科学出版社,1996:310-314.
[3]	AL--Shareef H N;Bellur K R;Kingon A L et al.[J].Applied Physics Letters,1995,66(02):239-241.
[4]	Lee J;Ramesh R;Keramidas V G et al.[J].Applied Physics Letters,1995,66(11):1337-1339.
[5]	Hartnaagel H L;Dauwar A L;Jain A K.Semiconducting Transparent Thin Films[M].Institute of Physics Publishing London,1995:85-101.
[6]	Maruyama T;Kojima A .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1988,27(10):1829-1831.
[7]	李金华;李坤;陈汉松.Au/PLT/Pt铁电薄膜电容的电学性能[M].

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