Mg2+离子对Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响

功能材料, 2008, 39(3): 361-363.

Mg2+离子对Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体微结构及发光性能的影响

蒙延双 ^1, , 王达健 ^2, , 武浚 ^3, , 刘会基 ^4, , 巨少华 ^5,

1.国家镍钴新材料工程技术研究中心,甘肃,兰州,730101;金川镍钴研究设计院,甘肃,兰州,730101

2.天津理工大学,材料物理研究所,天津,300191

3.国家镍钴新材料工程技术研究中心,甘肃,兰州,730101;金川镍钴研究设计院,甘肃,兰州,730101

4.国家镍钴新材料工程技术研究中心,甘肃,兰州,730101;金川镍钴研究设计院,甘肃,兰州,730101

5.国家镍钴新材料工程技术研究中心,甘肃,兰州,730101;金川镍钴研究设计院,甘肃,兰州,730101

基金项目: 国家自然科学基金(50364002) 天津市自然科学基金(06YFJMJC02300)

关键词：荧光体 , Sr2Al2SiO7∶Eu2+ , Mg2+离子 , 微结构与光谱

The effects of Mg2+ ions on the microstructure and photoluminescence of Sr2Al2SiO7∶Eu2+ phosphor

采用复合胶体喷雾工艺制备了Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体及掺入Mg离子后Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2+(x=0.1, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0)荧光体.XRD分析及晶格常数计算结果表明,Eu2+离子部分取代Sr2+格位进入Sr2Al2SiO7晶格.Sr2Al2SiO7∶Eu2+荧光体激发谱由峰值位于326nm附近的宽带构成,属于Eu2+的4f→5d 跃迁吸收带;发射光谱主峰位于约500nm,属于Eu2+离子4f65d→4f7跃迁导致的宽带发射.XRD结果表明Mg2+添加浓度从x=0.1～1.0增加,Mg2+离子以取代离子形式进入Sr2Al2SiO7晶格.Mg2+离子添加浓度x=0.1时对Sr2Al2SiO7∶Eu2+发射光谱影响不大,Sr1.9Mg0.1Al2SiO7∶Eu2+0.02发射主峰仍位于500nm;x＞0.2后,Mg2+离子取代Sr2+离子使晶体场强度减弱,Eu2+离子5d能级晶场劈裂减小,导致Sr2-xMgxAl2SiO7∶Eu2+发射峰蓝移至460nm.

参考文献

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