采用电子背散射衍射等技术研究了工业黄铜H68的晶界工程(GBE)处理及晶界特征分布(GBCD)。结果表明：工业黄铜H68经固溶和预处理，再进行6％冷轧并在923 K退火10 min后，其特殊晶界比例达到76％，一般大角晶界包围的∑3n(n=1，2，3)特殊晶粒团尺寸大于300μm，较好地阻断了一般大角晶界网络的连通性，实现了GBCD优化；预处理中非共格∑3晶界的形成及再结晶引起的晶粒细化，为后续冷轧退火中诱发∑3n(n=1，2，3)晶界迁移反应提供了条件，这是H68黄铜发生GBCD优化的主要机制。
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