CdSiP2单晶生长及防爆工艺研究

人工晶体学报, 2014, 43(3): 492-496.

CdSiP2单晶生长及防爆工艺研究

吴圣灵 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 何知宇 ^4, , 陈宝军 ^5, , 杨辉 ^6, , 王小元 ^7, , 孙宁 ^8,

1.四川大学材料科学系,成都610064

2.四川大学材料科学系,成都610064

3.四川大学材料科学系,成都610064

4.四川大学材料科学系,成都610064

5.四川大学材料科学系,成都610064

6.四川大学材料科学系,成都610064

7.四川大学材料科学系,成都610064

8.四川大学材料科学系,成都610064

基金项目: 国家自然科学基金(51172149)

关键词：改进布里奇曼法 , CdSiP2晶体 , 逐层减压坩埚

Study on Growth and Explosion-proof Technologies of CdSiP2 Single Crystal

WU Sheng-ling ^1, , ZHAO Bei-jun ^2, , ZHU Shi-fu ^3, , HE Zhi-yu ^4, , CHEN Bao-jun ^5, , YANG Hui ^6, , WANG Xiao-yuan ^7, ,

1.四川大学材料科学系,成都610064

2.四川大学材料科学系,成都610064

3.四川大学材料科学系,成都610064

4.四川大学材料科学系,成都610064

5.四川大学材料科学系,成都610064

6.四川大学材料科学系,成都610064

7.四川大学材料科学系,成都610064

Keywords： improved Bridgman method , CdSiP2 crystal , layer-by-layer decompression crucible

对磷硅镉(CdSiP2)单晶生长过程中发生爆炸的原因进行了分析,设计出新型的逐层减压坩埚.通过在内外层坩埚之间的空腔内加入适量CdSiP2粉末产生的蒸气压,平衡和降低了晶体生长过程中坩埚内壁承受的压力,实现逐层减压,从而减小了内层坩埚形变,降低了生长容器爆炸的几率.同时,改进了布里奇曼生长法的降温工艺,生长出尺寸达φ14 mm×32mm的CdSiP2单晶体.X射线分析表明单晶衍射面为(204)晶面,回摆峰半峰宽值为0.434,衍射谱峰强度高,具有良好的对称性;晶体在1500～7500 cm-1波数范围的红外透过率达55％,吸收系数为0.10 ～0.17 cm-1,电阻率1.3×107 Ω·cm.

参考文献

[1]	Growth and characterization of large CdSiP_2 single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2010(8):p.1127.
[2]	王小元,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇,樊龙,杨辉,刘光耀.CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进[J].人工晶体学报,2012(05):1163-1167.
[3]	杨辉,朱世富,赵北君,陈宝军,何知宇,樊龙,刘光耀,王小元.CdSiP2多晶合成的热力学研究[J].人工晶体学报,2012(01):11-14,19.
[4]	Guodong Zhang;Xutang Tao;Huapeng Ruan;Shanpeng Wang;Qiong Shi .Growth of CdSiP_2 single crystals by self-seeding vertical Bridgman method[J].Journal of Crystal Growth,2012(1):197-201.
[5]	磷硅镉多晶合成的防爆工艺研究[J].人工晶体学报,2012(06):1483-1487.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网