用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究

人工晶体学报, 2010, 39(5): 1114-1118.

用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究

陈军 ^1, , 闵嘉华 ^2, , 梁小燕 ^3, , 张继军 ^4, , 王东 ^5, , 李辉 ^6,

1.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

2.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

3.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

4.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

5.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

6.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

基金项目: 上海高校优秀青年教师科研专项基金国家自然科学基金(10675080;50902091) 上海大学研究生创新基金

关键词： CdZnTe晶体 , 真空镀碳 , 粗糙度 , 结合力 , 位错密度

Investigation on the Vacuum Carbon Coating Process on Quartz Ampoules for CdZnTe Crystal Growth

采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数.研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163 μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜.采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低.

参考文献

[1]	徐亚东,介万奇,王涛,刘伟华.籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体[J].人工晶体学报,2006(06):1180-1184.
[2]	Brunet P;Katty A;Schneider D .Horizontal Bridgman Growth of Large High Quality Cd1-yZnyTe Crystals[J].Materials Sciences & Engineering B,1993,16:44-47.
[3]	Rosch W;Carloson F .Computed Stress Field in GaAs During Vertical Bridgman Growth[J].Journal of Crystal Growth,1991,109:75.
[4]	Harrison MJ;Graebner AP;McNeil WJ;McGregor DS .Carbon coating of fused silica ampoules[J].Journal of Crystal Growth,2006(2):597-601.
[5]	沈涛,刘俊成,翟慎秋,张国栋.晶体生长用石英玻璃管镀膜工艺的正交实验研究[J].人工晶体学报,2009(01):271-275.
[6]	闵嘉华,桑文斌,钱永彪,李万万,刘洪涛,樊建荣.CdZnTe晶体生长用石英管的镀碳工艺研究[J].功能材料与器件学报,2005(02):255-258.

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