Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

1.河南新乡华丹电子有限责任公司,河南,新乡,453002

Φ105 mm FZ-Si Monocrystal Growth Process

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理, 说明了生产Φ105 mm FZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准, 通过对不同形式的加热线圈进行分析, 指出了较理想的加热线圈, 讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用.对Φ105 mm FZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述.

[1]	程景柏,屠海令,周旗钢,王敬,常青,张果虎,方锋.300 mm 硅单晶的缩颈生长及应力分析[J].稀有金属,2001(04):266-268.
[2]	张宝丰.电子工业生产技术手册[M].:111.
[3]	黄立新.国产炉拉制Φ＞76.2mm无位错FZ硅单晶的两种工艺热场分析[J].半导体技术,1999(02):55-59.

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