脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响

材料热处理学报, 2001, 22(3): 62-66. doi: 10.3969/j.issn.1009-6264.2001.03.014

脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响

曾鹏 ^1, , 胡社军 ^2, , 谢光荣 ^3, , 黄拿灿 ^4, , 吴起白 ^5,

1.广东工业大学材料与能源学院

2.广东工业大学材料与能源学院

3.广东工业大学材料与能源学院

4.广东工业大学材料与能源学院

5.广东工业大学材料与能源学院

基金项目: 广东省高教厅科研项目(970032)

关键词：脉冲偏压 , 真空电弧沉积 , TiN薄膜 , 组织性能

Influence of Pulse Bias Voltage on Microstructure and Properties of TiN Films Deposited by Vacuum Arc

研究了脉冲偏压对真空电弧沉积TiN薄膜组织与性能的影响.结果表明脉冲偏压幅值在500-1700V,脉宽比在1/25～2/5的范围内,沉积温度低于250℃时膜层组织主要由Ti2N和TiN相构成,随脉冲偏压幅值和脉宽比的增大,晶面的择尤沉积由Ti2N(200)向(002)转变,柱状晶生长程度减弱.膜层具有较高的显微硬度和耐磨性,但在过高的脉冲偏压和脉宽比的沉积条件下,膜层的性能有下降的趋势.

参考文献

[1]	Gahlin R;Bromark M et al.Properties of TiN and CrN coatings deposited at low temperature using reactive arc-evaporation[J].Surface and Coatings Technology,1995,76-77:174.
[2]	蔡;顾剑锋;周平南;杨晓豫 .离子束增强沉积TiN薄膜界面结合强度的研究[J].金属热处理学报,1997,18(02):30.
[3]	Perry A J;Treglio J R et al.Low-tempreture deposition of titanium nitride[J].Surface and Coatings Technology,1995,76-77:815.
[4]	谢光荣;胡社军;黎炳雄 .多弧离子镀膜机(Bulat-6)性能分析和工艺参数研究[J].广东机械学院学报,1997,2:14.

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