作为微电子和光电子系统中普遍使用的一种结构材料,单晶硅一直是人们研究的焦点.长期以来,人们对其电学性质进行了非常深入细致的研究,却疏于对其抗击强激光辐照特性的研究.随着激光通讯和光电对抗技术的发展,对光学材料的激光破坏特性和加固技术进行研究的需求也显得越来越迫切.本文主要对单晶硅的抗激光损伤特性进行研究,研究了单晶硅材料在1064nm Nd:YAG激光自由脉冲输出模式和单脉冲输出模式作用下的损伤特性,通过对两种激光作用下单晶硅损伤形貌的分析,在热效应与热力耦合模型的基础上,对单晶硅的激光损伤机制进行了探索.
参考文献
[1] | Stuart BC.;Herman S.;Rubenchik AM.;Shore BW.;Perry MD.;Feit MD. .NANOSECOND-TO-FEMTOSECOND LASER-INDUCED BREAKDOWN IN DIELECTRICS[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1996(4):1749-1761. |
[2] | 郭少锋,陆启生,程湘爱,江厚满,曾学文.光学材料的激光损伤形态研究[J].强激光与粒子束,2002(02):238-242. |
[3] | 杨德仁;樊瑞新;姚鸿年 .硅晶片切割损伤层微观应力的研究[J].材料科学与工程学报,1994,12(03):33-37. |
[4] | A V Kuanr;S K Bansal;G P Srlvastava .Laser-induced damage in InSb at 1.06μm wavelength - a comparative study with Ge,Si and GaAs[J].Optics & Laser Technology,1996,28(05):345-353. |
[5] | Wolfgang Riede.Nd: YAG laser induced damage on ultmthin silicon samples Proceedings of SPIE[C].,1996:289-293. |
[6] | 张琼,蔡传荣,周海芳,周巧琴.单晶硅脆性微裂纹的透射电镜观察[J].电子显微学报,2000(04):509-510. |
[7] | Laser Induced Damage Threshold and Certification Procedures for Optical Materials[M].NASA Reference Publication:1395. |
[8] | 新兴的强激光[M].北京:原子能出版社,1992:248. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分:
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%