高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究

材料科学与工程学报, 2005, 23(1): 81-83. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.01.023

高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究

崔继锋 ^1, , 叶志镇 ^2, , 吴贵斌 ^3, , 赵炳辉 ^4,

1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

2.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

3.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

4.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

关键词：锗硅 , 拉曼 , 高分辨XRD , 应变驰豫 , 热应变

Raman Spectra of Relaxation and Thermal Stress in High Ge Content SiGe alloy

采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响.

参考文献

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