UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

材料科学与工程学报, 2004, 22(2): 161-163. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2004.02.002

UHV/CVD生长锗硅材料的偏析现象

吴贵斌 ^1, , 崔继锋 ^2, , 黄靖云 ^3, , 叶志镇 ^4,

1.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

2.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

3.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

4.浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027

关键词：锗硅合金 , 表面偏析 , 表面耗尽 , 超高真空化学气相沉积

Ge Segregation in Si1- x Gex Alloy Grown on Si by UHV/CVD

本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱的研究,指出表面由于锗的偏析,造成锗在体内和表面的含量不同,在低温时生长锗硅合金,表面氢原子的吸附可有效地抑制锗的偏析,但随着温度的升高,氢的脱附造成锗的偏析现象更加明显.

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Ge Segregation in Si1- x Gex Alloy Grown on Si by UHV/CVD

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