LED光电器件的性能调控

量子电子学报 , 2016, 33(3): 301-305. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2016.03.007

LED光电器件的性能调控

1.洛阳理工学院电气工程与自动化学院,河南洛阳,471023

2.洛阳理工学院电气工程与自动化学院,河南洛阳,471023

3.洛阳理工学院电气工程与自动化学院,河南洛阳,471023

4.洛阳理工学院电气工程与自动化学院,河南洛阳,471023

基金项目: Supported by Key Scientific Research Projects in Colleges and Universities of He'nan Educational Department (河南省教育厅高等学校重点科研项目,15A510033)

关键词：光电子学 , 量子效率 , 效率下降 , 电子阻挡层

Performance improvement of LED photoelectric devices

Keywords： optoelectronics , quantum efficiency , efficiency drop , electron blocking layer

通过对GaN基LED的量子阱垒层进行重新设计,提高了发光二极管(LED)器件的量子效率.并通过理论计算从量子阱的内建电场、载流子分布、电子泄漏、辐射符合效率等方面研究了效率上升的原因.对于LED光电器件,提高辐射复合速率有利于缓解电子泄漏,增加LED的发光功率,缓解LED在大电流下的效率下降.所设计的结构中采用InGaN/GaN作为LED的垒层,减小了由极化引起的静电场,增大了电子和空穴波函数的交叠比,进而增大了辐射复合速率.结果表明在160 mA注入电流下,外量子效率提高了近20％.

参考文献

[1]	Bernardini F.;Vanderbilt D.;Fiorentini V..SPONTANEOUS POLARIZATION AND PIEZOELECTRIC CONSTANTS OF III-V NITRIDES[J].Physical Review.B.Condensed Matter,199716(16):10024-10027.
[2]	Arif R. A.;Zhao H.;Ee Y.-K.;Tansu N..Spontaneous Emission and Characteristics of Staggered InGaN Quantum-Well Light-Emitting Diodes[J].IEEE Journal of Quantum Electronics: A Publication of the IEEE Quantum Electronics and Applications Society,20086(6):573-580.
[3]	张大庆;李国斌;陈长水.单量子阱InGaN/GaN势垒高度与LED光电性能关系研究[J].量子电子学报,2014(1):107-115.
[4]	郑冬梅;王宗篪.纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁[J].量子电子学报,2012(4):385-391.

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