俄歇复合对应变量子阱激光器阈值电流的影响

量子电子学报 , 2007, 24(1): 105-109. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2007.01.021

俄歇复合对应变量子阱激光器阈值电流的影响

贾国治 ^1, , 姚江宏 ^2, , 刘国梁 ^3, , 柏天国 ^4, , 刘如彬 ^5, , 邢晓东 ^6,

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基金项目: 教育部长江学者和创新团队发展计划国家自然科学基金(60476042)

关键词：光电子学 , 俄歇复合 , 应变量子阱 , 阈值电流密度 , 特征温度

Effect of Auger recombination on the threshold current of strained quantum well laser

通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变温度Tc,小于Tc时,主要是非俄歇复合;大于Tc时,主要是俄歇复合,而且张应变量子阱激光器转变温度要比压应变量子阱激光器的转变温度要高;张应变量子阱激光器与压应变量子阱激光器相比,阈值电流更低,特征温度更高.

参考文献

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