调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响

1.华南理工大学应用物理系,

2.华南师范大学MOCVD实验室,

3.华南师范大学MOCVD实验室,

4.华南师范大学MOCVD实验室,

Effect of the Modulated Doping on the Work Voltage of HB-LED

根据电化学C-V测量AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N+-N与P+-P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED工作电压的另一大因素,并提出了进一步降低LED工作电压的有效措施.

[1]	文尚胜等.高亮度InGaAIP DH LED结构设计的研究[J].华南师范大学学报(自然科学报),2000,2:13
[2]	方志烈.半导体发光材料和器件[M].上海:复旦大学出版社,1992.59
[3]	凯西H C著,郭长志译.异质结激光器(上)[M].北京:国防工业出版社,1983.244
[4]	黄昆,韩琦.半导体物理基础[M].北京:科学出版社,1985.53
[5]	方志烈.半导体发光材料和器件[M].上海:复旦大学出版社,1992.249

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