气相CdCl2退火对CdTe多晶薄膜性能的影响

功能材料与器件学报 , 2008, 14(3): 707-711. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.03.027

气相CdCl2退火对CdTe多晶薄膜性能的影响

曾广根 ^1, , 黎兵 ^2, , 郑家贵 ^3, , 冯良桓 ^4, , 蔡伟 ^5,

1.四川大学太阳能材料与器件研究所,成都,610064

2.四川大学太阳能材料与器件研究所,成都,610064

3.四川大学太阳能材料与器件研究所,成都,610064

4.四川大学太阳能材料与器件研究所,成都,610064

5.四川大学太阳能材料与器件研究所,成都,610064

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA513010) 四川省应用基础研究计划(2006J13-083) 搏士点基金(20050610024)

关键词： CdTe多晶薄膜 , 退火 , 太阳电池

Influence of vapor CdCl2 treatment on the properties of CdTe polycrystailine thin films

利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的退火,对样品进行了厚度、XRD、SEM、透过谱,σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向,退火能使晶界钝化,增加再结晶并促进晶粒长大;但对薄膜的透过率没有影响,退火后,暗电导(σdark)增加,电导激活能(Ea)减少.得到了最优化的退火条件.

参考文献

[1]	Wu X;Dhere R G;Albin D S.[A].Colorado,2001:47-48.
[2]	Sarlund;Ritala;Leskela et al.Characterization of Etching Preparation of CdTe Solar Cells[J].Solar Energy Materials and Solar Cells,1996,44:177-190.
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[4]	Wu Lili;Feng Lianghuan;Cai Wei .Mierostrueture and Photoluminescenee Spectroscopy on CSS Deposited CdTe Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,8:831.
[5]	冯良桓,张静全,蔡伟,黎兵,蔡亚平,武莉莉,李卫,郑家贵,蔡道林.氩氧气氛下沉积的CdTe薄膜及太阳电池的性质[J].半导体学报,2005(04):716-720.
[6]	Song W;Mao D;Trefny J U.Influence of CdCl2 Treatment on the Electrical and Optical Properties of CdS Thin Film[A].,1998:194-198.
[7]	Yoxa Mahathongdy;David S Albin;Colin A.Wolden.Vapor CdCl2-Optimization and Screening Experiments for an All Dry Chloride Treatment of CdS/CdTe Solar Cells[A].,1998:236-240.

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