硅玻璃阳极键合绝压压阻式压力传感器中的残余应力

功能材料与器件学报 , 2008, 14(2): 452-456. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.038

硅玻璃阳极键合绝压压阻式压力传感器中的残余应力

许东华 ^1, , 张兆华 ^2, , 林惠旺 ^3, , 刘理天 ^4, , 任天令 ^5,

1.清华大学微电子学研究所,北京,100084

2.清华大学微电子学研究所,北京,100084

3.清华大学微电子学研究所,北京,100084

4.清华大学微电子学研究所,北京,100084

5.清华大学微电子学研究所,北京,100084

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA04Z372) 北京市科委科研项目(GYYKW0507009)

关键词：硅一玻璃 , 阳极键合 , 压力传感器 , 残余应力

Residual stress in absolute pressure sensor using Si-Glass anodic bonding

硅玻璃阳极键合技术因键合强度高,工艺简单而成为低成本绝压压力传感器的主要封装技术.但由于常规的硅玻璃阳极键合需要在相对较高的温度下进行且材料之间不可避免的热膨胀系数失配将产生较大的残余应力.实验采用有限元方法对硅玻璃阳极键合进行了系统的力学分析以减小残余应力对器件性能的影响.实验中采用硅玻璃阳极键合技术制备了不同压敏膜厚度和尺寸的传感器并测试其曲率与零点以对残余应力进行分析验证.

参考文献

[1]	K. M. Knowles;A. T. J. van Helvoort .Anodic bonding[J].International Materials Reviews,2006(5):273-311.
[2]	Knowles K M;Van Helvoort A T J;Holmestad R et al.A-nodic oxidation during electrostatic bonding[J].Philosophical Magazine,2004,84(06):505-519.
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[5]	P. Yu;Ch. Pan;J. Xue .The anodic bonding between K_4 glass and Si[J].Materials Letters,2005(19/20):2492-2495.
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