对准误差是MEMS表面加工工艺中的一个重要参数,对它的测量和控制有着重要的意义.目前大多采用光机械的方法来测量,但是测试方法复杂、测试时间长.主要对MEMS表面加工工艺中导电层和非导电层之间的对准误差测试结构进行了研究,可用于测量表面工艺中牺牲层和多晶硅层之间的对准误差.通过对集成电路中所用的锥形梳状游标结构进行改进,把对准误差的测量转化为电阻的测量,从而实现对准误差的快速电测量,理论上可达到0.1μm的分辨率,测试方法简单快捷,并且很便于测试系统集成.
参考文献
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