OTFTs结构与器件性能

功能材料与器件学报 , 2007, 13(1): 82-85. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.017

OTFTs结构与器件性能

王伟 ^1, , 石家纬 ^2, , 姜文海 ^3, , 郭树旭 ^4, , 张宏梅 ^5, , 马东阁 ^6, , 全宝富 ^7,

1.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012

2.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012

3.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012

4.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012

5.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012

6.中国科学院长春应用化学研究所,高分子物理与化学国家重点实验室,长春,130022

7.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012

基金项目: 国家自然科学基金(60176022) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314703) 吉林省自然科学基金(20020634;20040520-1)

关键词：有机薄膜场效应晶体管 , 顶电极 , 底电极 , 迁移率

Configurations of OTFTs and the device performance

在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响.结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级.研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响.结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高.

参考文献

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