实验研究一种新颖的光刻胶牺牲层的接触平坦化(contact planarization)技术,应用于MEMS结构制作.实验研究了温度与光刻胶流动性的关系,以及牺牲层厚度、施加压力和温度、MEMS结构密度等因素对平坦化效果的影响,在优化条件下,牺牲层的起伏台阶从2μm减小到20～40nm.与化学机械抛光技术相比,接触平坦化无明显凹陷(Dishing)效应,无衬底损伤,同时呈现出良好的局部和总体均匀性.
参考文献
| [1] | J Jason Yao .RF MEMS from a device perspective[J].Journal of Micromechanics and Microengineering,2000,10(04):R9-R38. |
| [2] | Yu AB;Liu AQ;Zhang QX;Alphones A;Zhu L;Shacklock AP .Improvement of isolation for MEMS capacitive switch via membrane planarization[J].Sensors and Actuators, A. Physical,2005(1):206-213. |
| [3] | [OL].http://www.brewerscience.com/cp/index.php,2005-05-27. |
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