抗辐照 H型栅 PD SOI NMOSFETs

1.中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院研究生院,北京,100039

2.中国科学院微电子研究所,北京,100029

3.中国科学院微电子研究所,北京,100029

4.中国科学院微电子研究所,北京,100029

Radiation hardened H- gate PD SOI NMOSFETs

在商用 SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照 H型栅 NMOSFETs,使用的主要技术手段有: 氮化 H2- O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用 H型栅结构,消除边缘寄生晶体管.结果表明,在经受 1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.

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