CZSiGe单晶的 FTIR光谱研究

功能材料与器件学报 , 2005, 11(1): 23-27. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.006

CZSiGe单晶的 FTIR光谱研究

蒋中伟 ^1, , 张维连 ^2, , 牛新环 ^3, , 张书玉 ^4,

1.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

2.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

3.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

4.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130

基金项目: 国家自然科学基金(59772037) 河北省自然科学基金(500016)

关键词： CZ法 , SiGe单晶 , 红外光谱

FTIR spectroscopy of Ge- doped Czochralski Si

利用傅立叶红外光谱( FTIR)测试技术,研究了掺锗 CZSi的低温和常温红外吸收光谱.发现高浓度 Ge掺入 CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为 1118 cm- 1、 710 cm- 1和 800 cm- 1的新红外吸收峰,这些峰的吸收强度随 Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰( 607 cm- 1)则向低频方向移动.同时利用 X射线单晶衍射技术( SCXRD)测定了 SiGe( Ge: 10wt%)单晶的晶格常数,结果表明晶格常数由 Si单晶的 0.54305nm变为 0.5446nm.

参考文献

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[4]	Yonenaga I;Nonala M;Fukata N .Interstitial oxygen inGeSi alloys[J].Physical Review B,2001,308-310:539-541.
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[7]	孙以才.半导体测试技术[M].北京:冶金工业出版社,1984:231-235.
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FTIR spectroscopy of Ge- doped Czochralski Si

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