GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究

功能材料与器件学报 , 2002, 8(1): 27-30. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.007

GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究

魏茂林 ^1, , 齐鸣 ^2, , 孙一军 ^3, , 李爱珍 ^4,

1.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

2.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

关键词： GaN , MOCVD , 横向过生长 , 外延

Growth and characterization of GaN by lateral epitaxy overgrowth (LEO)

对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究.结果表明,作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关键,而图形方向对横向生长速率与纵向生长速率之比(L/V)也有重要的影响.通过选择合适的工艺条件,实现了GaN材料的LEO外延生长,所得样品的X射线衍射峰宽比用常规MOCVD法生长的样品减小了1/3.

参考文献

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