化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射

1.武汉电信器件公司,武汉,430074

Stimulated Brillium Scattering of the compound semiconductors in testing the near-intrared photoluminescence

报告了InGaAsP/InP异质体材料光荧光测试中的受激布里渊散射,实验表明,该类材料在温度为20 ～150 K,光入射功率为4.5～6.0mW ,观测到光荧光谱(PLS) 中强度和频移对称的多声子伴线, 并讨论了它们的特性.

[1]	沈厚础.半导体光态性质[M].北京:科学出版社,1992
[2]	范琦康;吴存恺;毛少卿.非线性光学[M].北京:电子工业出版社,1989

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