采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器.探测器的光谱响应表明,在紫外波段250-360nm有近于平坦的光电流响应,363nm附近有陡峭的截止边,357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W.响应度与偏压的变化关系表明,4V以前为线性增加,5V后达到饱和.
参考文献
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