为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合,选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm-2的P+离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700oC下快速热退火90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm.蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大,并且能量比剂量对蓝移的影响更大.
参考文献
| [1] | Charbonneau S;Poole P J;Feng Y et al.[J].Applied Physics Letters,1995,67:2954. |
| [2] | Razeghi M;Acher O;Flaunay .[J].Semiconductor Science and Technology,1987,2:793. |
| [3] | He J J;Charbonneau S;Poole P J et al.[J].Applied Physics Letters,1996,69:562. |
| [4] | Cao N;Elenkrig B B et al.[J].Applied Physics Letters,1997,70:25. |
| [5] | Kirillov D;Merz J I et al.[J].Applied Physics Letters,1984,55:1105. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%