MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响

1.中国科学院上海冶金研究所,上海200050

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基金项目: 中国科学院资助项目(69676003)

Effect of MESFET VDS and distance of sode- gates on side- gating threshold voltage

研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系.结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比.

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