RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究

1.中国科学院微电子中心

2.香港科技大学

SOI device of RF and low noise amplifier circuits

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手,以0.6μmNMOS工艺为基础,设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路.电路在1.5V电压下,中心频率1.8GHz时峰值增益为24dB,浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增益和较低的噪声.

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