掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响

功能材料与器件学报 , 2000, 6(1): 55-58. doi: 10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010

掺杂比对脉冲激光沉积的ZnO:Al膜性能的影响

葛水兵 ^1, , 程珊华 ^2, , 宁兆元 ^3, , 沈明荣 ^4, , 甘肇强 ^5, , 周咏东 ^6, , 褚君浩 ^7,

1.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

2.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

3.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

4.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

5.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

6.苏州大学薄膜材料实验室,江苏,苏州,215006

7.中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

关键词：脉冲激光沉积 , ZnO膜 , 掺杂比

EFFECTS OF DOPANT RATIO ON ZnO:Al FILM BY PULSED LASER DEPOSITION

用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大.在掺杂比为1.5%左右时沉积的膜的电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.

参考文献

[1]	KUROYANAGI A .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1989,28:219.
[2]	Zafar S.;Morel DL.;Ferekides CS. .CHARACTERIZATION AND ANALYSIS OF ZNO-AL DEPOSITED BY REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING[J].Journal of Vacuum Science & Technology, A. Vacuum, Surfaces, and Films,1995(4):2177-2182.
[3]	MINAMI T .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1984,23(05):280.
[4]	MINAMI T .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1985,24(10):781.
[5]	SATO H;MINAMI T;TAMURA Y et al.[J].Thin Solid Films,1994,246:86.
[6]	HU J H;GORDON R G .[J].Journal of Applied Physics,1992,71(02):880.
[7]	TANG W;CAMERON D C .[J].Thin Solid Films,1994,238:83.
[8]	MA JIN;JI F;MA H L et al.[J].Thin Solid Films,1996,279:213.
[9]	LIU Z G;CHEN X Y;LIU J M et al.[J].Solid State Communications,1994,91:671.
[10]	BUESTEIN E .[J].Physical Review,1954,93:632.

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