金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素.研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能.通过优化刻蚀工艺,采用活性更高的SF6去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl2,避免了金属Al腐蚀的发生.
参考文献
| [1] | 黄锡珉.液晶显示技术的发展轨迹[J].液晶与显示,2003,18(1):1-6. |
| [2] | 应根裕.平板显示技术[M].北京:人民邮电出版社,2003. |
| [3] | Song Jean H,Kwon D J,Kim S G,et al.Advanced four-mask process architecture for the a-Si TFT array manufacturing method[J].SID Symposium Digest of Technical Paper,2000,42(2):1011-1013. |
| [4] | Seo H S,Kim I W,Lee G H,et al.Hillock-free Al-gate materials using stress-absorbing buffer layer for large-area AMLCDs[J].SID Symposium Digest of Technical Paper,1996,22(3):1-5. |
| [5] | Hong MunPyo,Roh Nam-Seok,Hong Wan-Shick,et al.New approaches to process simplification for large area and high resolution TFT-LCD[J].SID Symposium Digest of Technical Paper,2001,44(1):1-4. |
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