富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究

液晶与显示 , 2005, 20(2): 103-106. doi: 10.3969/j.issn.1007-2780.2005.02.004

富硅量不同的富硅氮化硅薄膜的光致发光研究

王颖 ^1, , 申德振 ^2, , 张吉英 ^3, , 刘益春 ^4, , 张振中 ^5, , 吕有明 ^6, , 范希武 ^7,

1.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

2.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

3.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

4.东北师范大学,先进光电子功能材料研究中心,吉林,长春,130024

5.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

6.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

7.中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033

基金项目: 中国科学院知识创新工程项目国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA31112) 中国科学院资助项目(60278031,60176003,60376009) 国家自然科学基金(60336020)

关键词：氮化硅薄膜 , 光致发光 , Si团簇 , 量子限制效应

Photoluminescence Study of Silicon Nitride Films With Different Si-rich Degrees

采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了系列富硅量不同的富硅氮化硅薄膜,且所有样品分别经过不同温度的退火.通过X射线光电子能谱(XPS)的测试证实了薄膜中硅团簇的存在.对不同富硅量的氮化硅薄膜做了红外和光致发光的比较研究.由不同富硅量薄膜中硅团簇的尺寸变化对发光峰的影响,得出了发光来源于包埋于氮化硅薄膜中由于量子限制效应而使带隙增大了的硅团簇.

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