在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定.通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因是由于尖锥阵列的不均匀性造成只有部分尖锥发射电子;引起发射不稳定的主要因素是由于尖锥表面的微凸起和毛刺以及它吸附的各种影响有效功函数的污染物.采用电阻限流技术提高了阵列发射的均匀性,同时通过阴极老炼技术增强了场发射的稳定性,使其电流发射密度有很大程度的提高,而且电流波动也大为减小.研究结果对于该阴极在射频功率和平板显示等器件上的应用有着重要的意义.
参考文献
| [1] | 冯进军,杨崇峰,彭自安,等.场发射显示器技术分析[J].电子器件,1999,23(1):69-75. |
| [2] | 张继华,冯涛,于伟东,等.粒子轰击对碳纳米管微结构和场发射性能的影响[J].液晶与显示,2004,19(3):163-167. |
| [3] | Makishima H, Imura H, Takahashi M, et al. Remarkable improvements of microwave electron tubes through the development of the cathode materials [A]. Technical Digest of 10th International Vacuum Microelectronics Conference [C]. Kyongju, Korea,1997. 194-199. |
| [4] | Whaley D R, Gannon B, Duthie J S, et al. Operation of a TWT microwave amplifier with a field emitters array electron source [J].Technical Digest of 13th International Vacuum Microelectronics Conference [C]. Guangzhou, China,2000. 1-2. |
| [5] | 冯进军,丁明清,张甫权,等.钼尖锥场致发射阵列阴极的性能研究[J].液晶与显示,2002,17(1):39-42. |
| [6] | Meyer R. Sealed vacuum devices: Microtips fluorescent displays[J]. IEEE Transactions on Electron Device, 1991, 38(10): 2320-2322. |
| [7] | 杨德清,庄伟.电子发射原理与应用[M].昆明:云南大学出版社,1995.97-137. |
| [8] | Ding M Q, Auciello O, Carlisle J A, et al. Field emission properties of ultrananocrystalline diamond coated Si microtip arrays[A].Technical Digest of 15th International Vacuum Microelectronics Conference & 48th International Field Emission Symposium [C].Lyon, France, 2002. PT03. |
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