InGaAlP LED发光效率高,性能稳定,应用相当广泛.在InGaAlP LED的应用中,发光特性是相当重要的参数,而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数.介绍了不同的InGaAlP LED芯片结构,分析了其发光特点及封装后的发光特性,讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响.
参考文献
| [1] | 张万生,梁春广. 可见光LED的进展[J].半导体情报,1997,34(4):9-17. |
| [2] | 郑智斌,彭万华. InGaAlP超高亮LED性能及可靠性[J]. 液晶与显示,2001,16(2):145-149. |
| [3] | 李玉璋. InGaAlP高亮度发光二极管[J].液晶与显示,1999,14(2):110-114. |
| [4] | 林秀华,江炳熙. LED光输出特性随管芯封装位置变化[J].半导体光电,1992,13(2):151-155. |
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