TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究

1.中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,长春,130021

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基金项目: 中国科学院留学基金中国科学院院长基金

Simulation of Gate Delay for Inverted Staggered a-Si TFT AMLCD

建立了a-Si TFT AMLCD的等效电路模型, 综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(Resistivity Capacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考.

[1]	Howard W E, J.SID,1995, 3, 3
[2]	Weisneiff R L, Extended Abstracts 22nd Conf. On Solid State Devices and Materials, 1990, 983
[3]	Ikeda N, Nishida S, Kaneko S, Hirat Y, SID′95, 747
[4]	Coldgan E G, dFryer P M, Galligan E et al., AM LCD′96/IDW′96, 29

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