SiC陶瓷无压烧结工艺探讨

兵器材料科学与工程 , 2004, 27(5): 35-37. doi: 10.3969/j.issn.1004-244X.2004.05.010

SiC陶瓷无压烧结工艺探讨

陈巍 ^1, , 曹连忠 ^2, , 张向军 ^3, , 韩肃 ^4, , 段关文 ^5,

1.中国兵器科学研究院,宁波分院,浙江,宁波,315103

2.中国兵器科学研究院,宁波分院,浙江,宁波,315103

3.中国兵器科学研究院,宁波分院,浙江,宁波,315103

4.中国兵器科学研究院,宁波分院,浙江,宁波,315103

5.中国兵器科学研究院,宁波分院,浙江,宁波,315103

关键词：无压烧结 , 碳化硅 , 微观结构 , 力学性能

Discussion on Pressureless sintering of SiC ceramic

系统研究了不同温度无压烧结条件下,添加质量分数为 2% C及不同 B元素量对 SiC的致密机制、微观结构及力学性能的影响.结果表明,添加质量分数为 2.0% C+ 1.0% B的 SiC 经 2 150℃× 2h无压烧结后的力学性能为最优,其抗弯强度达 470MPa,断裂韧性达 5.12MPa· m1/2.

参考文献

[1]	Joun Z;Uemura;Inomata Y.Sintering of silicon carbide[J].Materials Science,1981(16):297.
[2]	Prnchazka S.Sintering of silicon carbide[A].Hyanrus:MA,1975:239.
[3]	武安华,曹文斌,李江涛,葛昌纯.液相烧结SiC陶瓷的微观结构[J].北京科技大学学报,2001(01):35-37.
[4]	Nihara K .New design concept of structural[J].Journal of the Ceramic Society of Japan,1991,99(10):975.

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